Das poröse Silizium fällt bei der Herstellung von hochreinem Silizium in den Randbereichen des Kristalls an. Hier kommt es während des Kristallwachstums zu Dendritenbildung, einer unerwünschten Störung der Kristallstruktur.
An dieser zerklüfteten Oberfläche können sich Metalle, Kohlenstoff oder andere Substanzen anreichern. Im Gegensatz zu den herkömmlichen nasschemischen Verfahren setzt die Firma Decker ein Fließband ein, um auf diese Weise Zugang zu den in Rissen und Spalten verborgenen Oberflächen des zuvor granulierten Siliziums zu ermöglichen. Damit löst das Verfahren systemimmanente Qualitäts- und Effizienzprobleme des klassischen Verfahrens, da Ätzvorgänge im Inneren von Körben länger dauern und unpräziser sind, als an deren ausgebreiteten Oberflächen.
